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J-GLOBAL ID：200902257247507100   整理番号：05A0310786

低電圧ECRスパッタ法によるNi-Znフェライト薄膜の作製

Fabrication of Ni-Zn Ferrite Thin Film Using the Low-Target-Voltage Reactive ECR Sputtering Method

著者 (7件)： 田中輝光 (山口大 工) ,  石田元 (山口大 工) ,  藤森宏高 (山口大 工) ,  下里義博 (島津製作所) ,  岡田繁信 (島津製作所) ,  松浦満 (山口大 工) ,  山本節夫 (山口大 工)
資料名： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 29  号： 4  ページ： 468-471  発行年： 2005年04月01日 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタリング装置を用いて,...

シソーラス用語： *電子サイクロトロン共鳴加熱 ,...
準シソーラス用語： ECRスパッタリング ,...

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分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

引用文献 (8件)：

• 1) Y. Hoshi, M. Naoe and S. Yamanaka: Jpn J. Appl. Phys., 16, 1715 (1977).
• 2) K. Ishii: J. Magn. Soc. Jpn., 24, 1343 (2000).
• 3) A. Furuya, and S. Hirono: J. Appl. Phys., 68, 304 (1990).
• 4) T. Ohmi, T. Ichikawa, H, Iwabuchi, and T. Shibata: J. Appl. Phys., 66, 4756 (1989).
• 5) S. Yamamoto, K. Sato, H. Kurisu, and M. Matsuura: J. Appl. Phys., 79, 4896 (1996).

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  スパッタ法 ,  Ni-Znフェライト ,  薄膜 ,  作製