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J-GLOBAL ID：200902257263707136   整理番号：09A0235924

湿式法によるZnO膜の成長に及ぼすシリコン基板表面の影響

Effect of the surface of a silicon substrate on the growth of ZnO films by a wet process

著者 (5件)： SEGAWA Hiroyo (Dep. of Chemistry and Materials Sci., Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol.) ,  IZUMI Reiko (Central Res. Inst. Naka Res. Center, Mitsubishi Materials Corp.) ,  HAYASHI Toshiharu (Central Res. Inst. Naka Res. Center, Mitsubishi Materials Corp.) ,  YANO Tetsuji (Dep. of Chemistry and Materials Sci., Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol.) ,  SHIBATA Shuichi (Dep. of Chemistry and Materials Sci., Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 117  号： 1363  ページ： 289-293 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 1882-0743  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 湿式化学法におけるZnO成長に及ぼすシリコン基板の影響を調べた。ZnOは,Zn(NO₃)₂,アンモニウム及びポリエチレングリコールから成る溶液から低温の湿式化学法で作製した。シリコン基板を溶液に浸漬した場合,pH=10.4~10.9の溶液から基板上にフラワ状ZnOが得られた。基板がない場合,pH=10.4~10.9の溶液からZn(OH)₂粉末が得られ,pH<7.6の溶液からはフラワ状でないZnO粉末が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *薄膜成長 ,  湿式法 ,  化学合成 ,  ウエハ【IC】 ,  表面性状 ,  ポリエチレンオキシド ,  pH依存性 ,  表面構造 ,  *微細構造 ,  粉体 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  前駆体 ,  反応経路 ,  太陽電池 ,  表面形態 ,  シリコンウエハ ,  薄膜太陽電池 ,  構造
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  ポリエチレングリコール ,  微細組織 ,  粉末 ,  薄膜ソーラセル

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： アンモニウム

引用文献 (19件)：

• 1) M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo and P. Yang, Science, 292, 1897 (2001).
• 2) K. Hara, T. Horiguchi, T. Kinoshita, K. Sayama, H. Sugihara and H. Arakawa, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 64, 115 (2000).
• 3) J. A. Rodriguez, T. Jirsak, J. Dvorak, S. Sambasivan and D. Fischer, J. Phys. Chem. B, 104, 319 (2000).
• 4) Z. W. Pan, Z. R. Dai and Z. L. Wang, Science, 291, 1947 (2001).
• 5) J. Q. Hu and Y. Bando, Appl. Phys. Lett., 82, 1401 (2003).

タイトルに関連する用語 (5件)： 湿式法 ,  ZnO ,  成長 ,  シリコン ,  基板表面