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J-GLOBAL ID：200902257424249630   整理番号：04A0085645

不変極性条件下のBeドープp型GaNの成長

Growth of Be-doped p-type GaN under Invariant Polarity Conditions

著者 (8件)： SUGITA S (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  WATARI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YOSHIZAWA G (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SODESAWA J (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMIZU H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  LIU K-T (National Chen Kung Univ., TWN) ,  SU Y-K (National Chen Kung Univ., TWN) ,  HORIKOSHI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 12  ページ： 7194-7197  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfプラズマ支援MBE法で成長時に表面極性を保持しながらサフ...

シソーラス用語： 極性 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (18件)：

• 1) J. I. Pankove and J. A. Hutchby: J. Appl. Phys. 47 (1976) 5387.
• 2) T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki and M. Koike: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 593.
• 3) H. Obloh, K. H. Bachem, U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, A. Ramakrishnan and P. Schlotter: J. Cryst. Growth 195 (1998) 270.
• 4) L. Eckey, U. Von. Gfug, J. Holst, A. Hoffmann, B. Schineller, K. Heime, M. Heuken, O. Schon and R. Beccard: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 523.
• 5) F. J. Sanchez, F. Calle, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Munoz, C. H. Molloy, D. J. Somerford, J. J. Serrano and J. M. Blanco: Semicond. Sci. Technol. 13 (1998) 1130.

タイトルに関連する用語 (6件)： 不変 ,  極性 ,  Be ,  ドープ ,  GaN ,  成長