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J-GLOBAL ID：200902258573479393   整理番号：05A0249442

モノリシックSi/III-V-N族合金OEICのための基本デバイス,回路およびプロセス

Elemental devices, circuits and processed for a monolithic Si/III-V-N alloy OEIC.

著者 (9件)： YONEZU H (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  FURUKAWA Y (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  ABE H (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  YOSHIKAWA Y (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  MOON S-Y (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  UTSUMI A (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  YOSHIZUMI Y (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  WAKAHARA A (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  OHTANI M (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 27  号： 5  ページ： 799-803  発行年： 2005年02月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいモノリシックOEICを実現する上で,Si半導体とIII...

シソーラス用語： *OEIC ,...
準シソーラス用語： モノリシック集積回路 ,...

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分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  合金 ,  OEIC ,  プロセス