文献

J-GLOBAL ID：200902258581462459   整理番号：04A0693054

高移動度(>10cm²/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO₄の室温製膜とキャリア輸送特性

著者 (7件)： 神谷利夫 (東京工大 応用セラミックス研) ,  野村研二 (東京工大 応用セラミックス研) ,  高木章宏 (東京工大 応用セラミックス研) ,  太田裕道 (JST-ERATO) ,  柳博 (東京工大 応用セラミックス研) ,  平野正浩 (JST-ERATO) ,  細野秀雄 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 2  ページ： 791  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0693054&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高移動度 ,  Vs ,  アモルファス ,  酸化物半導体 ,  室温 ,  製膜 ,  キャリア ,  輸送特性