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J-GLOBAL ID：200902258766072843   整理番号：08A0383495

プラズマエッチング過程における放射,ラジカル,イオンによる低k多孔性SiOCH膜のプラズマ損傷機構

Plasma damage mechanisms for low-k porous SiOCH films due to radiation, radicals, and ions in the plasma etching process

著者 (7件)： UCHIDA Saburo (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku ...) ,  TAKASHIMA Seigo (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku ...) ,  HORI Masaru (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku ...) ,  FUKASAWA Masanaga (Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...) ,  OHSHIMA Keiji (Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...) ,  NAGAHATA Kazunori (Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...) ,  TATSUMI Tetsuya (Process Technol. Dep., Semiconductor Technol. Dev. Div., Semiconductor Business Group, Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 7  ページ： 073303  発行年： 2008年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低誘電率(低k)膜は超大規模集積回路における絶縁材料として広く使われてきた。低k膜はエッチングまたは灰化のプラズマ過程中に重い損傷を受け,誘電率の増大を生ずる。低k膜に対する無損傷プラズマ過程を実現するためには,プラズマ過程で放出される放射,ラジカル,イオンが低k膜の特性に及ぼす影響を定めることが本質的である。現実のプラズマ過程において放射,ラジカル,イオン及びその相乗作用が膜に及ぼす影響を評価する方法を開発し,これをプラズマ評価パレット(PAPE)と名付けた。PAPEを用いて,二重周波数容量結合H₂/N₂プラズマにおける多孔性SiOCH膜上のプラズマ誘起損傷を調べた。偏光解析法,Fourier変換赤外分光法,熱脱着分光法により,損傷を特性評価した。その結果に基づいて,真空紫外(VUV)及びUV放射,ラジカル,イオンに関連した損傷機構を明らかにした。損傷はイオンとラジカルのみならずプラズマにより放出されたVUV及びUV放射にも起因した。更に,放射とラジカルの相乗作用が損傷を増強することも分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *有機ケイ素化合物 ,  多孔質体 ,  *プラズマエッチング ,  *照射損傷 ,  偏光解析法 ,  熱脱着スペクトル ,  反射スペクトル ,  ラジカル ,  イオン衝突 ,  紫外線照射 ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： *プラズマ照射 ,  回路基板材料

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体-プラズマ相互作用  (BJ02033W)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマエッチング ,  過程 ,  放射 ,  ラジカル ,  イオン ,  多孔性 ,  プラズマ損傷