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J-GLOBAL ID:200902258907985872   整理番号:09A0420936

AlON/SiO2積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISFETの特性

著者 (10件):
資料名:
巻: 56th  号:ページ: 442  発行年: 2009年03月30日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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