文献

J-GLOBAL ID：200902258907985872   整理番号：09A0420936

AlON/SiO₂積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISFETの特性

著者 (10件)： 桐野嵩史 (大阪大 大学院) ,  景井悠介 (大阪大 大学院) ,  渡邊優 (大阪大 大学院) ,  小園幸平 (大阪大 大学院) ,  箕谷周平 (ローム) ,  中野佑紀 (ローム) ,  中村孝 (ローム) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 442  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MISFET ,  *アルミナ ,  *窒化 ,  二酸化ケイ素 ,  積層構造 ,  *絶縁膜 ,  キャリア移動度 ,  電圧依存性 ,  化合物半導体 ,  *改変
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  ゲート電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  ゲート絶縁膜 ,  4H-SiC ,  MISFET