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J-GLOBAL ID：200902259875447209   整理番号：04A0921187

4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長

Homoepitaxial Growth on 4H-SiC {0001}-Vicinal Faces

著者 (3件)： 中村俊一 (京大) ,  木本恒暢 (京大) ,  松波弘之 (京大)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 53  号： 12  ページ： 1323-1327  発行年： 2004年12月15日 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 微斜面低オフ角の標題成長において,基板再研磨およびCVD成長...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (22件)：

• 松波弘之. 半導体SiC技術と応用. 2003
• 荒井和雄. SiC素子の基礎と応用. 2003
• KURODA, N. Ext. Abstr. 19^<th> Conf. on Solid State Devices and Materials, 1987. 1987
• POWELL, J. A. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 333
• NAKAMURA, S. J. Cryst. Growth. 2003, 256, 341

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  近傍 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長