文献

J-GLOBAL ID：200902260432375220   整理番号：04A0391783

アークプラズマガンを用いた新規材料GeC薄膜の分子線エピタキシー成長

MBE Growth of Novel GeC Thin Epilayers on Si(100) Substrates by Using a Vacuum Arc Plasma Gun as C Source

著者 (3件)： 布下正宏 (奈良先端科学技術大学院大) ,  太田淳 (奈良先端科学技術大学院大) ,  沖仲元毅 (理研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 47  号： 4  ページ： 315-323  発行年： 2004年04月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板と格子整合する新しい発光材料候補としてGeC混晶に着...

シソーラス用語： *真空アーク ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0391783&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (28件)：

• DUBOWSKI, J. J. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1948
• IACONA, F. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3242
• SUEMASU, T. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1804
• OKINAKA, M. J. Crystal Growth. 2003, 249, 78
• KOLODZEY, J. J. Crystal Growth. 1995, 157, 386

タイトルに関連する用語 (4件)： アーク ,  プラズマガン ,  薄膜 ,  分子線エピタキシー成長