電子サイクロトロン共鳴プラズマ流に曝露した後の超薄Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ゲート誘電体のMOSダイオード特性

JIN Yoshito; SAITO Kunio; SHIMADA Masaru; ONO Toshiro

文献

J-GLOBAL ID：200902260516121231 整理番号：05A0750752

電子サイクロトロン共鳴プラズマ流に曝露した後の超薄Al₂O₃ゲート誘電体のMOSダイオード特性

MOS-diode characteristics of ultrathin Al₂O₃ gate dielectrics after exposure to an electron-cyclotron-resonance plasma stream

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0750752&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0750752&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 23 号： 4 ページ： 1480-1486 発行年： 2005年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ArとO₂混合ガスの電子サイクロトロン...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0750752&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , 酸化物薄膜 , プラズマ応用

, , , , ,

前のページに戻る

電子サイクロトロン共鳴プラズマ流に曝露した後の超薄Al2O3ゲート誘電体のMOSダイオード特性

電子サイクロトロン共鳴プラズマ流に曝露した後の超薄Al₂O₃ゲート誘電体のMOSダイオード特性