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J-GLOBAL ID：200902261404074580   整理番号：09A0458388

印加電場で誘起した強誘電性に及ぼすPb(Zr_0.43Ti_0.57)O₃膜中の90°分域壁の影響

Impact of 90°-Domain Wall Motion in Pb(Zr_0.43Ti_0.57)O₃ Film on the Ferroelectricity Induced by an Applied Electric Field

著者 (7件)： MORIOKA Hitoshi (Bruker AXS, Yokohama, JPN) ,  MORIOKA Hitoshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAITO Keisuke (Bruker AXS, Yokohama, JPN) ,  NAKAKI Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IKARIYAMA Rikyu (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KUROSAWA Toshiyuki (Bruker AXS, Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 4  ページ： 041401.1-041401.3  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径50μmのマイクロビームによる走査型X線微小回折と新たに開発した二次元検出器を用いて,電場印加前後の直径100μmのPt上部電極直下の厚み2.4μmのエピタキシャルPb(Zr_0.43Ti_0.57)O₃膜の結晶構造と分域構造を解析した。明白に外因性の90°分域回転を観測し,抗電場以上の電場を印加するとc分域の体積率は約42%から約71%に増加した。この現象は成長したままのPb(Zr_0.43Ti_0.57)O₃膜ではこれ迄に見られない大きな強誘電性残留分極を誘起した(P_r≒60μC/cm²)。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： X線回折 ,  電場効果 ,  *強誘電性 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  強誘電体 ,  エピタクシー ,  誘電体薄膜 ,  *分域構造 ,  結晶構造 ,  抗電場
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  分域壁

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (21件)：

• WASER, R. Nanoelectrics and Information Technology. 2003, 59
• SETTER, N. Piezoelectric Materials in Devices. 2002, 1
• FOSTER, C. M. J. Appl. Phys. 1997, 81, 2349
• PARK, S.-E. J. Appl. Phys. 1997, 82, 1804
• KIM, D.-J. J. Appl. Phys. 2003, 93, 5568

タイトルに関連する用語 (7件)： 印加 ,  電場 ,  誘起 ,  強誘電性 ,  Pb ,  O3 ,  分域壁