文献

J-GLOBAL ID：200902261620101230   整理番号：09A0740370

発光デバイスの現状と将来 Part 2【無機発光デバイス】超高密度量子ドット作製技術

著者 (1件)： 大谷直毅 (同志社大 理工)
資料名： 未来材料  (Expected Materials for the Future)
巻： 9  号： 7  ページ： 26-31  発行年： 2009年07月10日 
JST資料番号： L4328A  ISSN： 1346-0986  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体レーザなどの光アクティブデバイスにおいてその活性層の体積は重要である。とくに量子ドットを用いる場合,活性層体積の増加は常に問題になってきた。本稿では,超高密度量子ドット作製技術の最近の研究成果を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *化合物半導体 ,  生産技術 ,  *積層構造 ,  緩和現象 ,  閉込め ,  キャリア ,  状態密度 ,  表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  *アンチモン化物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  自己組織化 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  蛍光スペクトル ,  半導体レーザ ,  構造
準シソーラス用語： *アンチモン系量子ドット ,  作製技術 ,  *積層量子ドット ,  *超高密度量子ドット ,  歪緩和

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Letts., 40, 939(1982).
• L. Esaki and R. Tsu: IBM Res. Note, RC-2418(1969).
• L. Esaki and R. Tsu: IBM J. Res. Develop., 61(1970).
• R. Chin, N. Holonyak, Jr. and B. A. Vojak: Appl. Phys. Letts., 36, 19(1980).
• N. Holonyak, Jr., R. M. Kolbas, R. D. Dupuis and P. D. Daplus: IEEE J. Quantum Electron., QE-16, 170(1980).

タイトルに関連する用語 (6件)： 発光デバイス ,  現状 ,  将来 ,  高密度 ,  量子ドット ,  作製技術