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J-GLOBAL ID：200902261820417593   整理番号：08A0142097

極端紫外リソグラフィーでの素子作製に対する32nmラインアンドスペースパターンに関するフレア変動補正

Flare-variation compensation for 32 nm line and space pattern for device manufacturing on extreme-ultraviolet lithography

著者 (3件)： AOYAMA H. (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaragi-ken 305-8569, JPN) ,  IRIKI N. (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaragi-ken 305-8569, JPN) ,  TANAKA T. (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaragi-ken 305-8569, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 26  号： 1  ページ： 80  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外リソグラフィーにおける重要な問題の一つは,空中像のコントラスト及び照射場を横切る最小加工寸法(CD)の制御を劣化させ,吸収体レイアウトの密度に関係するフレアである。したがって,残留フレア変動補正(FVC)誤差を考慮して,レジスト特性を推定し,FVC下でのプロセスウィンドウを決定することが必要である。本論文において,厳密な空中像シミュレーションに基づいたFVC枠組み下において,32nmラインアンドスペースパターンに関するプロセスウィンドウを指定した。適切なマスク再サイジングにより,FVCは23%以上までの照射許容範囲を与えた。0.5nmグリッドを,EUVLの低マスク増倍誤差因子により,マスクデータ作製に用いることができた。加えて,空中像へのGauss関数の畳み込みにより推定したレジストぼけは,大きな影響をもち,マスクCD誤差及び0~10%のフレアレベルに対するプロセスマージンを考慮して,ぼけの標準偏差を7nm以下に保ち,使用可能なプロセスウインドウを得る必要があった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 光反射 ,  *補正 ,  シミュレーション ,  誤差 ,  許容範囲 ,  *フォトリソグラフィー ,  *画像ぼけ ,  フォトマスク ,  結像 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  フレア ,  プロセスウィンドウ ,  *最小加工寸法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 極端紫外 ,  リソグラフィー ,  作製 ,  フレア