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J-GLOBAL ID：200902262634197385   整理番号：09A0717444

真空紫外光/オゾン処理を用いて作製した低リークp型ダイヤモンドSchottkyダイオード

Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment

著者 (4件)： TERAJI T. (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  GARINO Y. (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  KOIDE Y. (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  ITO T. (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 12  ページ： 126109  発行年： 2009年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素添加p型ダイヤモンドについて,室温におけるショットキーダイオードの作製を試みた。この製造方法の基本となる技術は,酸素雰囲気中での真空紫外光の照射により,表面終端をモノハイドライドから酸素族に選択的に修飾することである。水素終端表面に形成した金電気接点はこの選択的表面酸化のあとでもオーミックな性質を維持していた。次いで酸化した表面上に金電気接点を成膜したが,それはSchottky的な性質を示した。金Schottky電気接点および金オーミック電気接点からなる横型のダイオードは,電極ガードなしで1kV以上の高い耐圧を示した。1kVにおけるリーク電流は30pAという低い値を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *Schottky障壁ダイオード ,  P型半導体 ,  紫外線照射 ,  *表面改質 ,  金電極 ,  *漏れ電流 ,  オゾン処理 ,  Ohm接触 ,  *ボロンドープダイヤモンド ,  水素終端 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： オゾン処理 ,  作製 ,  リーク ,  ダイヤモンド ,  Schottkyダイオード