水素アニーリング時におけるシリコン溝の形状転移の研究

文献

J-GLOBAL ID：200902263448081918 整理番号：04A0323457

Investigation of Shape Transformation of Silicon Trenches during Hydrogen Annealing

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巻： 43 号： 4A ページ： L468-L470 発行年： 2004年04月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

水素圧40~760Torr,温度域1000~1100°Cでのア...

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固体デバイス製造技術一般 , トランジスタ

引用文献 (18件)：

1) N. Fujishima and T. A. Salama: IEDM Tech. Dig. (1997) p. 359.
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3) K. Yamabe and K. Imai: IEEE Trans. Electron Devices ED-34 (1987) 1681.
4) T. Sato, N. Aoki, I. Mizushima and Y. Tsunashima: IEDM Tech. Dig. (1999) p. 517.
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