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J-GLOBAL ID：200902264491333579   整理番号：03A0648506

硫黄終端GaAs(001)基板上に結合した有機金属錯体の触媒活性

著者 (8件)： 塚本史郎 (東大 ナノエレクトロニクス連携セ) ,  有沢光弘 (千葉大 薬) ,  下田正彦 (物質・材料研究機構) ,  PRISTOVSEK M (ベルリン工科大) ,  宮下直樹 (千葉大 薬) ,  高宮郁子 (ベルリン工科大) ,  荒川泰彦 (東大 ナノエレクトロニクス連携セ) ,  西田篤司 (千葉大 薬)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 3  ページ： 1112  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機りん化合物  (CF08040N)

物質索引 (4件)： ヨードベンゼン ,  アクリル酸メチル ,  トリフェニルホスフィン ,  3-フェニルプロペン酸メチル

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  終端 ,  GaAs ,  有機金属錯体 ,  触媒活性