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J-GLOBAL ID:200902264554393151   整理番号:09A0810909

スズ貫通孔ターゲットを用いたレーザ生成プラズマEUV(Extreme Ultraviolet)光源-円錐および円筒型貫通孔内アブレーション過程とEUV放射-

EUV (Extreme Ultraviolet) Light Source by Laser Produced Plasma Using Tin Through-hole Targets-EUV Emission and Ablation Process in Conical and Cylindrical Through-holes-
著者 (5件):
資料名:
巻: 75  号:ページ: 967-972  発行年: 2009年08月05日 
JST資料番号: F0268B  ISSN: 1348-8716  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本研究では,新しい方式のEUV光源として,スズ貫通孔ターゲットへのパルスレーザ集光照射で生成するプラズマからのEUVをデブリに汚染されない貫通孔出口後方から取り出し,リソグラフィ光源として利用する手法を提案した。これにより得た主な知見を次に示した。1)円錐型と円筒型の2種類の貫通孔に対して,レーザ生成プラズマから放射されるEUV強度を計測・比較して,ストレートな円筒型の貫通孔形状が高輝度な光源の実現に適していること,2)2種類の貫通孔内で生成するレーザプラズマを孔入口前方から可視域の高速度カメラでストリーク撮影し,その時間・空間分解した発光計測結果より,孔内壁からのスズ分子のアブレーション過程を考察した結果,スズ膜をデポジションした円錐型の貫通孔では高輝度のEUV出力を安定して得る条件を整えられないが,スズ板にストレートな円筒型貫通孔を加工したターゲットでは,高いEUV出力が得られること。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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