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J-GLOBAL ID：200902264554393151   整理番号：09A0810909

スズ貫通孔ターゲットを用いたレーザ生成プラズマEUV(Extreme Ultraviolet)光源-円錐および円筒型貫通孔内アブレーション過程とEUV放射-

EUV (Extreme Ultraviolet) Light Source by Laser Produced Plasma Using Tin Through-hole Targets-EUV Emission and Ablation Process in Conical and Cylindrical Through-holes-

著者 (5件)： 中野元博 (大阪大 大学院工学研究科) ,  三田泰之 (大阪大 大学院工学研究科) ,  井上晴行 (大阪大 大学院工学研究科) ,  押鐘寧 (大阪大 大学院工学研究科) ,  片岡俊彦 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
巻： 75  号： 8  ページ： 967-972  発行年： 2009年08月05日 
JST資料番号： F0268B  ISSN： 1348-8716  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,新しい方式のEUV光源として,スズ貫通孔ターゲットへのパルスレーザ集光照射で生成するプラズマからのEUVをデブリに汚染されない貫通孔出口後方から取り出し,リソグラフィ光源として利用する手法を提案した。これにより得た主な知見を次に示した。1)円錐型と円筒型の2種類の貫通孔に対して,レーザ生成プラズマから放射されるEUV強度を計測・比較して,ストレートな円筒型の貫通孔形状が高輝度な光源の実現に適していること,2)2種類の貫通孔内で生成するレーザプラズマを孔入口前方から可視域の高速度カメラでストリーク撮影し,その時間・空間分解した発光計測結果より,孔内壁からのスズ分子のアブレーション過程を考察した結果,スズ膜をデポジションした円錐型の貫通孔では高輝度のEUV出力を安定して得る条件を整えられないが,スズ板にストレートな円筒型貫通孔を加工したターゲットでは,高いEUV出力が得られること。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  *レーザプラズマ ,  *スズ ,  Nd-YAGレーザ ,  *スルーホール ,  形状効果 ,  円錐 ,  円筒 ,  半導体プロセス ,  レーザアブレーション ,  *プラズマ
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (26件)：

• 1) ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 Edition Lithography, http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2007_Chapters/2007_Lithography.pdf, (2007) 26.
• 2) S. Wurm: Extreme Ultraviolet Lithography Development in the United States, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 9B, (2007) 6105
• 3) M. Imai: Lithography Technology since 45 nm Generation, J. Jpn. Soc. Precis. Eng., 74, 5, (2008) 441 (in Japanese).
• 4) M. Richardson et al.: Diagnostics for laser plasma EUV sources, Proc. SPIE, 5580 (2005) 434.
• 5) K. Kemp and S. Wurm: EUV lithography, Comptes Rendus Physique, 7 (2006) 875.

タイトルに関連する用語 (9件)： スズ ,  貫通孔 ,  ターゲット ,  レーザ生成プラズマ ,  EUV ,  円錐 ,  アブレーション ,  過程 ,  放射