オゾンと1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザンとの光化学反応  光化学蒸着過程での前駆体間の気相反応の解析

NAKAMURA Ken; NONAKA Hidehiko; KAMEDA Naoto; KAMEDA Naoto; NISHIGUCHI Tetsuya; NISHIGUCHI Tetsuya; ICHIMURA Shingo

文献

J-GLOBAL ID：200902266644233377 整理番号：08A0996346

オゾンと1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザンとの光化学反応光化学蒸着過程での前駆体間の気相反応の解析

Photochemical Reaction of Ozone and 1,1,1,3,3,3-Hexamethyldisilazane: Analysis of the Gas Reaction between Precursors in a Photochemical Vapor Deposition Process

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資料名：
巻： 47 号： 9 Issue 1 ページ： 7349-7355 発行年： 2008年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾン(O₃)との気相での光化学反応を,紫外線で照射した光化学蒸着(光CVD)過程での副反応として解析した。この解析は,Fourier変換赤外吸収(FTIR)分光法および質量分析(MS)によって行った。このHMDSとO₃との光化学反応の最終生成物は,CO₂,N₂およびH₂Oであった。もっとも,この反応は,HMDSのSi-N-Si結合と,O₃および紫外(UV)線とで始まり,反応中間体として,カルボニル基および(または)カルボキシル基を有する化合物の生成とそれに続くSi-N-Si切断をもたらした。(翻訳著者抄録)

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有機化合物の薄膜

引用文献 (18件)：

International Roadmap Committee, International Technology Roadmap for Semiconductors, 2005 edition and 2006 update [http://www.itrs.net/].
L.-Q. Xia, P. W. Lee, M. Chang, I. Latchford, P. K. Narwankar, R. Urdahl, A. S. Nickles, R. Achutharaman, and C. B. Lewis: in Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, ed. Y. Nishi and R. Doering (Marcel Dekker, New York, 2000) p. 309.
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T. Nishiguchi, H. Nonaka, S. Ichimura, Y. Morikawa, M. Kekura, and M. Miyamoto: Appl. Phys. Lett.81(2002)2190.

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