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J-GLOBAL ID：200902266738735376   整理番号：08A0575009

単一エネルギー陽電子ビームにより調べたErドープGaN中の空格子点型欠陥

Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam

著者 (10件)： UEDONO A. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  SHAOQIANG C. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  JONGWON S. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  ITO K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  NAKAMORI H. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  HONDA N. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  TOMITA S. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  AKIMOTO K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  KUDO H. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN) ,  ISHIBASHI S. (Res. Inst. for Computational Sciences, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 10  ページ： 104505  発行年： 2008年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ErドープGaNについて,Erの4f殻内遷移と空格子点型欠陥との関連を単一エネルギー陽電子ビームを使って調べた。分子線エピタクシーにより成長したErドープGaNにたいし,消滅放射のDoppler広がりスペクトルを測定した。欠陥密度と光ルミネセンス(PL)強度の間に明確な相関が認められた。陽電子により検出された主要な欠陥種はGa空格子点(V_Ga)であり,その密度はEr濃度[Er]とともに増大した。[Er]=3.3at%の試料でPLの積分強度は最大(極大)となった。このようなEr濃度ではV_Ga密度は10¹⁸cm^-3を超え,さらに,二重空格子点のような別の空格子点が現れはじめた。より[Er]の高い試料では,析出物および/または準安定相が現れるために,PL強度は低下し,空格子点の平均サイズは減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  エルビウム ,  MBE成長 ,  *陽電子消滅 ,  *空格子点 ,  *光ルミネセンス ,  放射強度 ,  欠陥密度 ,  濃度依存性 ,  化合物半導体 ,  発光強度

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： エネルギー ,  陽電子ビーム ,  Er ,  ドープ ,  GaN ,  空格子点 ,  欠陥