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J-GLOBAL ID：200902267428556508   整理番号：06A0265871

(100)InP基板上にMBE成長したAlAsSb/InGaAs/InAlAs量子井戸構造

著者 (4件)： 浅野拓也 (大阪大 院) ,  下村哲 (大阪大 院) ,  北田貴弘 (大阪大 院) ,  冷水佐寿 (大阪大 院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 333  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  MBE成長 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  量子井戸