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J-GLOBAL ID：200902267800386150   整理番号：09A0996252

界面特性に優れたAl₂O₃/ZrO₂/GeO₂積層構造ゲート絶縁膜の作製と評価

著者 (9件)： 岡本学 (大阪大 大学院) ,  朽木克博 (大阪大 大学院) ,  景井悠介 (大阪大 大学院) ,  HARRIES James (日本原子力研究開発機構) ,  吉越章隆 (日本原子力研究開発機構) ,  寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 743  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *ゲルマニウム ,  *酸化膜 ,  積層構造 ,  酸化アルミニウム ,  酸化ジルコニウム ,  酸化ゲルマニウム ,  *容量電圧特性 ,  表面準位 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： 界面準位

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 界面特性 ,  Al2O3 ,  ZrO2 ,  GeO2 ,  積層構造 ,  ゲート絶縁膜 ,  作製 ,  評価