紫外光励起オゾンを用いて室温でポリシリコン上に成長した高品質ゲート誘電体膜

KAMEDA N.; KAMEDA N.; NISHIGUCHI T.; NISHIGUCHI T.; MORIKAWA Y.; KEKURA M.; NONAKA H.; ICHIMURA S.

文献

J-GLOBAL ID：200902268065895468 整理番号：07A0879332

紫外光励起オゾンを用いて室温でポリシリコン上に成長した高品質ゲート誘電体膜

High Quality Gate Dielectric Film on Poly-Silicon Grown at Room Temperature using UV Light Excited Ozone

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巻： 154 号： 9 ページ： H769-H772 発行年： 2007年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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