文献

J-GLOBAL ID：200902270573960946   整理番号：04A0859934

ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御

Control of nitrogen depth profile and chemical bonding state in radical nitrided silicon oxide film.

著者 (8件)： 河瀬和雅 (三菱電機 先端技術総合研) ,  梅田浩司 (ルネサステクノロジ 生産技術本部) ,  井上真雄 (ルネサステクノロジ 生産技術本部) ,  諏訪智之 (東北大 大学院工学研究科) ,  樋口正顕 (東北大 大学院工学研究科) ,  小村政則 (東北大 大学院工学研究科) ,  寺本章伸 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  大見忠弘 (東北大 未来科学技術共同研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 336(SDM2004 173-179)  ページ： 27-32  発行年： 2004年10月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波励起Ar/N₂プラズマにより...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 界面状態 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0859934&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• PFIESTER, J. R. IEEE trans. Electron devices. 1990, 37, 1842
• KIMIZUKA, N. SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY 2000. 2000, 92
• HATTANGADY, S. V. IEDM Tech. Dig., 1996. 1996, 495
• INOUE, M. IEICE Technical report. 2002, SDM2002-190, 13
• HIMPSEL, F. J. Phys. Rev., B. 1988, 38, 6084

タイトルに関連する用語 (4件)： ラジカル窒化 ,  酸化膜 ,  深さ分布 ,  結合状態