文献

J-GLOBAL ID：200902271041299440   整理番号：03A0393140

Si単電子トランジスタにおける単電子アイランドの顕微鏡観測

Microscopic Observations of Single-Electron Island in Si Single-Electron Transistors

著者 (4件)： NAGASE M (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  HORIGUCHI S (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  FUJIWARA A (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4B  ページ： 2438-2443  発行年： 2003年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 顕微鏡方法,走査型電子顕微鏡法(SEM),原子間力顕微鏡法(...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• 1) D. Ali and H. Ahmed: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2119.
• 2) Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase and M. Tabe: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1994) p. 938.
• 3) Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase and M. Tabe: Electron. Lett. 31 (1995) 136.
• 4) Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase and K. Murase: IEEE Trans. Electron Device 43 (1996) 1213.
• 5) A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara and K. Murase: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 3257.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  単電子トランジスタ ,  電子 ,  アイランド ,  顕微鏡観測