n+-ポリシリコン/HfAlOx/SiO2Nチャネル金属-酸化物-半導体の電界効果トランジスタにおけるHfAlOx-HfAlOxの限界反転層移動度の非Coulomb散乱成分の弱い温度依存性

YASUDA Naoki; HISAMATSU Hirokazu; OTA Hiroyuki; MIZUBAYASHI Wataru; TORIUMI Akira; TORIUMI Akira

文献

J-GLOBAL ID：200902271169546520 整理番号：05A1022805

n⁺-ポリシリコン/HfAlO_x/SiO₂Nチャネル金属-酸化物-半導体の電界効果トランジスタにおけるHfAlO_x-HfAlO_xの限界反転層移動度の非Coulomb散乱成分の弱い温度依存性

Weak Temperature Dependence of Non-Coulomb Scattering Component of HfAlO_x-Limited Inversion Layer Mobility in n⁺-Polysilicon/HfAlO_x/SiO₂ N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

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資料名：
巻： 44 号： 11 ページ： 7750-7755 発行年： 2005年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

高k誘電体に制限された移動度を導出する新しい方法を提案し,強...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

引用文献 (25件)：

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