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J-GLOBAL ID：200902273071307458   整理番号：09A0027097

RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製

Fabrication of regularly arranged InGaN/GaN nanocolumns by Ti mask selective area growth throughout rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

著者 (8件)： 関口寛人 (上智大 理工) ,  関口寛人 (JST-CREST) ,  菊池昭彦 (上智大 理工) ,  菊池昭彦 (上智ナノテクノロジー研究セ) ,  菊池昭彦 (JST-CREST) ,  岸野克巳 (上智大 理工) ,  岸野克巳 (上智ナノテクノロジー研究セ) ,  岸野克巳 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 321(ED2008 152-183)  ページ： 1-6  発行年： 2008年11月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノコラムLEDの報告を行ってきたが,個々のナノコラムからの発光波長が異なるために発光スペクトルはブロードになる傾向があった。このようなナノコラムLEDの特性を改善するためにはナノコラムの位置と形状の制御が必要である。本研究では,Tiマスクを用いたGaNナノコラムのMBE法による選択成長に成功したので報告する。選択成長は成長温度に強く依存し,900°C以上において選択成長が観測され,過剰な基板温度の増加はナノコラム形状の不均一化を促した。また窒素流量の減少はナノコラムの横方向成長及び選択成長パターンのないTi薄膜上における自己形成GaN結晶の成長を抑制した。InGaN活性層のIn組成を変化させることにより青色から赤色の発光を実現し,規則配列化によるPL半値幅の低減を観測した。直径112nm,周期200nmをもつサンプルにおける低温と室温のPL積分強度比を評価したところ,77%と比較的高い値が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *ナノ構造 ,  柱状晶 ,  窒化ガリウム ,  選択成長 ,  ナノロッド ,  *発光ダイオード ,  ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  窒化物半導体 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： RF-MBE ,  *ナノコラム ,  GaN ,  InGaN

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： RF-MBE ,  Ti ,  マスク ,  選択成長 ,  規則配列 ,  InGaN ,  GaN ,  ナノコラム ,  作製