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J-GLOBAL ID：200902274009496852   整理番号：08A1105100

平均粗さがオングストローム尺度の超平坦シリカ表面の非断熱光学近接場エッチングによる実現

Realization of an ultra-flat silica surface with angstrom-scale average roughness using nonadiabatic optical near-field etching

著者 (6件)： YATSUI T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRATA K. (Sigma Koki Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  NOMURA W. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TABATA Y. (Sigma Koki Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHTSU M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHTSU M. (JST-SORST, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics. B. Lasers and Optics  (Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻： 93  号： 1  ページ： 55-57  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： E0501B  ISSN： 0946-2171  CODEN： APBOEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面粗さがサブnmである超平坦な基板が様々な応用分野で要求される。塩素気体源と連続レーザ(532nm)を用いた非断熱光学近接場エッチングにより超平坦表面を得る方法を示した。塩素の吸収バンド端エネルギーは光源の光子エネルギーよりも高いので,通常の断熱光化学反応は除外した。ナノメータ尺度の粗さの基板に発生した光学的近接場により塩素分子にナノ断熱化学反応を誘起し,それにより粗さを選択エッチングして,平均表面粗さが1.37Åの超平坦合成シリカ表面を得た。

シソーラス用語： *表面粗さ ,  連続レーザ ,  *エッチング ,  近接場 ,  平坦性 ,  *レーザ照射 ,  レーザ応用 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 平均粗さ ,  オングストローム ,  尺度 ,  平坦 ,  シリカ ,  光学 ,  近接場 ,  エッチング