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J-GLOBAL ID：200902274546144016   整理番号：09A1152207

精密切断加工技術の最前線 シリコンインゴットのマルチワイヤ放電スライシング技術

著者 (3件)： 宇野義幸 (岡山大 大学院) ,  岡本康寛 (岡山大 大学院) ,  岡田晃 (岡山大 大学院)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 53  号： 11  ページ： 663-666  発行年： 2009年11月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 一度に複数箇所でワイヤ放電加工が可能なマルチワイヤ放電スライシング装置を試作した。1本のワイヤ電極を4つのワイヤガイド間で約40周張架し,ワイヤサブガイドを2つ設置した。給電子はワイヤガイドとサブガイド間に設置し,3セットの放電電源を備えている。低抵抗単結晶シリコンのφ180μmとφ80μmのMoワイヤでのスライス例,高抵抗単結晶シリコンのφ180μmのMoワイヤでのスライス例と多結晶シリコンのφ0.12mmのMoワイヤでのスライス例を示した。比抵抗が数Ω・cmの材料は難放電加工領域とされるが,適切な加工条件選定で放電スライシングが可能で,加工液比抵抗低減で加工溝幅,クラック深さが改善する。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  インゴット ,  *切削 ,  *ワイヤ放電加工 ,  ポリシリコン ,  単結晶 ,  工作油 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  加工条件
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *スライシング ,  *マルチワイヤ放電スライシング ,  切削条件 ,  単結晶シリコン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• UNO, Yoshiyuki. A New Slicing Method of Monocrystalline Silicon Ingot by Wire EDM. International Journal of Electrical Machining. 2003, 8, 21
• UNO, Yoshiyuki. High Efficiency Fine Boring of Monocrystalline Silicon Ingot by Electrical Discharge Machining. Precision Engineering. 1999, 23, 2, 126
• UNO, Yoshiyuki. Fundamental Study on Multi-wire EDM Slicing Method for Monocrystalline Silicon Ingot-Effects of Supply Method of Working Fluid and Wire Speed on Machining Characteristics-. Proceedings of International Conference on Leading Edge Manufacturing in 21st Century, 2005. 2005, 783
• 廣田聡. マルチワイヤ放電装置を用いた単結晶シリコンのスライシングに関する試み. 2006年度精密工学会中国四国支部高松地方学術講演会講演論文集. 2006, 81
• 大下悟. 太陽電池用シリコンインゴットのマルチワイヤ放電スライシングに関する基礎的研究. 2008年度精密工学会愛媛地方学術講演会講演論文集. 2008, 13

タイトルに関連する用語 (7件)： 切断加工 ,  シリコン ,  インゴット ,  マルチ ,  ワイヤ ,  放電 ,  スライシング