異なる誘電率の多孔質シリカ低k膜のプラズマエッチ速度

文献

J-GLOBAL ID：200902276418533738 整理番号：06A1038952

Plasma Etch Rates of Porous Silica Low-k Films with Different Dielectric Constants

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資料名：
巻： 45 号： 11 ページ： 8873-8875 発行年： 2006年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

誘電率(k値)又は膜密度の異なる多孔質シリカ膜の反応性エッチ...

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (12件)：

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