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J-GLOBAL ID：200902277776622773   整理番号：03A0571351

ホモエピタクシー成長3C-SiC膜上に作製したNチャネルMOSFET

N-Channel MOSFETs Fabricated on Homoepitaxy-Grown 3C-SiC Films
著者 (9件)：
LEE K K

LEE K K について

(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)

Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN について

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ISHIDA Y

ISHIDA Y について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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OHSHIMA T

OHSHIMA T について

(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)

Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN について

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KOJIMA K

KOJIMA K について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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TANAKA Y

TANAKA Y について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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TAKAHASHI T

TAKAHASHI T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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OKUMURA H

OKUMURA H について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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ARAI K

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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KAMIYA T

KAMIYA T について

(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)

Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 24  号： 7  ページ： 466-468  発行年： 2003年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ホモエピタクシー3C-炭化けい素(SiC)膜上にエンハンスメ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

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トラップ【固体】

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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エピタクシー成長

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3C-SiC

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作製

作製 について

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nチャネルMOSFET

nチャネルMOSFET について


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