超薄Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ゲート誘電体の堆積における電子サイクロトロン共鳴スパッタリングの利用

JIN Y; SAITO K; SHIMADA M; ONO T

文献

J-GLOBAL ID：200902278445996718 整理番号：03A0465256

超薄Al₂O₃ゲート誘電体の堆積における電子サイクロトロン共鳴スパッタリングの利用

Using electron cyclotron resonance sputtering in the deposition of ultrathin Al₂O₃ gate dielectrics

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0465256&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0465256&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 21 号： 3 ページ： 942-948 発行年： 2003年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電子サイクロトロン共鳴スパッタリングにより作製したAl<su...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0465256&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

, , , ,

前のページに戻る

超薄Al2O3ゲート誘電体の堆積における電子サイクロトロン共鳴スパッタリングの利用

超薄Al₂O₃ゲート誘電体の堆積における電子サイクロトロン共鳴スパッタリングの利用