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J-GLOBAL ID：200902278591960997   整理番号：08A0930138

Zn-In-Oを基本とする薄膜トランジスタ:組成依存性

Zn-In-O based thin-film transistors: Compositional dependence

著者 (9件)： ITAGAKI N. (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  IWASAKI T. (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  KUMOMI H. (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  DEN T. (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  NOMURA K. ,  KAMIYA T. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA T. ,  HOSONO H. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HOSONO H.
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205  号： 8  ページ： 1915-1919  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明非晶質酸化物半導体を用いた薄膜トランジスター(TFT)は酸化インジウム亜鉛(ZIO)-薄膜トランジスタ(TFT)やZIO薄膜の特性はZn:Inの比に対して非常に敏感で,堆積過程におけるO₂分圧にはあまり関係しないことが分かった。Zn:Inが60:40の場合にTFTの特性は最良であることが分かった。また,Zn:Inの比の異なるZIO-TFTにおける空気に対する安定性も研究した。その結果,空気に対する安定性はTFTの特性が最良の場合に最も安定であることが分かった。X線回折(XRD)および透過型電子顕微鏡(TEM)観察による研究から,ZIOはZn:Inが60:40の非晶質であることが分かった。

シソーラス用語： *酸化物 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  濃度依存性 ,  安定性 ,  空気 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  非晶質半導体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Zn ,  薄膜トランジスタ ,  組成依存性