193nmリソグラフィー用のアクリル重合体のレジスト特性に及ぼす保護基の影響

OGATA T; MATSUMARU S; SHIMIZU H; KUBOTA N; HADA H; SHIRAI M

文献

J-GLOBAL ID：200902282060081880 整理番号：04A0512700

193nmリソグラフィー用のアクリル重合体のレジスト特性に及ぼす保護基の影響

Effects of Protecting Group on Resist Characteristics of Acryl Polymers for 193 nm Lithography

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 17 号： 4 ページ： 483-488 発行年： 2004年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

化学増幅ポジ型レジスト系の設計のために,アクリル重合体のレジ...

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共重合 , 脂肪族カルボン酸エステル・カルボン酸無水物・酸ハロゲン化物・アシルペルオキシド , 固体デバイス製造技術一般

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引用文献 (19件)：

1. T. I. Wallow, F. M. Houlihan, O. Nalamasu, E. A. Chandross, T. X. Neenan, and E. Reichmanis, Proc. SPIE, 2724 (1996) 355.
2. K. Maeda, K. Nakano, T. Ohfuji, and E. Hasegawa, Proc. SPIE, 2724 (1996) 377.
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5. K. Maeda, K. Nakano, S. Iwasa, and E. Hasegawa, Proc. SPIE, 3049 (1997) 55.

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