文献

J-GLOBAL ID：200902283149171383   整理番号：03A0398643

不揮発性デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成

Logic-in-Memory VLSI Using Non-Volatile Devices

著者 (3件)： 木村啓明 (東北大 大学院情報科学研究科) ,  羽生貴弘 (東北大 電通研) ,  亀山充隆 (東北大 大学院情報科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 2(ICD2003 1-12)  ページ： 23-27  発行年： 2003年04月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来MRAMの不揮発性記憶素子として用いられている強磁性トン...

シソーラス用語： *論理回路 ,...
準シソーラス用語： TMR

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0398643&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (11件)：

• KATKOORI, S. Challenges for CAD in Deep Sub Micron Regime. Computer Society TCVLSI Technical Bulletin. 1998, 7-10
• IWAI, H. CMOS Technology-Year 2010 and Beyond. IEEE J. Solid-State Circuits. 1999, 34, 3, 357-366
• FUJIMORI, Y. Properties of Ferroelectric Memory FET Using Sr_2 (Ta, Nb)_2O_7 Thin Film. Jpn. J. Appl. Phys. B. 1999, Vol.38, Part 1, No.4, 2285-2288
• HANYU, T. Ferroelectric-Based Functional Pass-Gate for Fine-Grain Pipelined VLSI Computation. 2002, 208-209
• KIMURA, H. Ferroelectric-Based Functional Pass-Gate for Low-Power VLSI. 2002, 196-199

タイトルに関連する用語 (3件)： 不揮発性 ,  ロジックインメモリ ,  VLSI