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J-GLOBAL ID：200902283628611088   整理番号：09A0060405

パルスレーザ蒸着によって作成したY5V膜コンデンサにおける静電容量の温度係数の改良

Improvement of Temperature Coefficient of Capacitance in Y5V Film Capacitor Prepared by Pulsed Laser Deposition

著者 (5件)： HINO Takanori (Niihama National Coll. Technol., Ehime, JPN) ,  MATSUMOTO Noriyuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKAHASHI Tomoshi (Niihama National Coll. Technol., Ehime, JPN) ,  NISHIDA Minoru (Ehime Univ., Ehime, JPN) ,  ARAKI Takao (Ehime Univ., Ehime, JPN)
資料名： 材料の科学と工学  (Materials Science and Technology of Japan)
巻： 45  号： 6  ページ： 229-235  発行年： 2008年12月20日 
JST資料番号： G0788A  ISSN： 1347-4774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エキシマレーザを用いたKrFパルスレーザ蒸着によって973Kの温度においてY5V焼結ターゲットを用いて1および10Paの気体圧力のO₂-O₃雰囲気中で,200nmの厚さの薄膜コンデンサをSrTiO₃(100),(110)および(111)単結晶上に作成した。その結果,ペロブスカイトBa(Zr,Ti)O₃固溶体膜が得られた。SrTiO₃(100),(110)および(111)上のY5V膜において,それぞれ,BaTiO₃ {100},{110}および{111}からのものと殆ど同じ位置にある回折ピークだけが観察された。4nmの厚さの初期ホモエピタキシャルSrTiO₃層を挿入することによって,Y5V膜は基板の結晶面方向に高度に配向して成長した。誘電定数は<111>の成長方向において増大した。この方向において,格子歪は最大であった。静電容量の温度係数(TCC)は格子歪がより小さい時,Y5Vセラミックに対する値よりも小さくなった。Y5V/SrTiO₃膜コンデンサは60mF/mm³の高い体積効率を与えた。Y5V/SrTiO₃膜コンデンサの体積効率は商用Y5VMLCCの3倍であった。気体圧力を制御することによって,TCCは改良されて平坦になった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  *静電容量 ,  温度依存性 ,  エキシマレーザ ,  焼結 ,  *薄膜コンデンサ ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *固溶体 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *チタン酸バリウム ,  *ジルコニウム酸塩 ,  バリウム化合物
準シソーラス用語： ジルコン酸バリウム

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (21件)：

• PUJARI, S. B. Materials Science Forum. 1996, 223, 283
• NOMURA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 5389
• SHARMA, A. D. J. Mater. Sci. Lett. 1998, 17, 1577
• HANSEN, P. J. Am. Ceram. Soc. 1998, 81, 1369
• CHAZONO, H. Key Engineering Materials. 2000, 181, 11

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ蒸着 ,  コンデンサ ,  静電容量 ,  温度係数