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J-GLOBAL ID：200902284838605150   整理番号：08A0942572

プラズマ窒化SiC表面の熱酸化によるMOS界面特性の向上

著者 (6件)： 景井悠介 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡邊優 (大阪大 大学院工学研究科) ,  原田真 (大阪大 大学院工学研究科) ,  細井卓治 (大阪大 大学院工学研究科) ,  志村考功 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡部平司 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 357  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *熱酸化 ,  *MOS構造 ,  イオン窒化 ,  X線光電子スペクトル ,  *容量電圧特性 ,  改変
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *プラズマ窒化

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ窒化 ,  SiC ,  熱酸化 ,  MOS ,  界面特性