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J-GLOBAL ID：200902286066964542   整理番号：03A0659294

Si基板上でのエピタキシャル強誘電体薄膜の配向制御法の確立

著者 (8件)： 岡本庄司 (東京工大 総理工) ,  渡辺隆之 (東京工大 総理工) ,  森岡仁 (東京工大 総理工) ,  横山信太郎 (東京工大 総理工) ,  秋山賢輔 (東京工大 総理工) ,  村中一樹 (北陸先端科学技術大学院大) ,  堀田将 (北陸先端科学技術大学院大) ,  舟窪浩 (東京工大 総理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 2  ページ： 505  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  エピタキシャル ,  強誘電体薄膜 ,  配向制御