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J-GLOBAL ID：200902286279411199   整理番号：04A0447874

2個のシャワーヘッドを具備したマイクロ波励起の高密度プラズマ装置による無損傷電極窓の高速エッチング

High-Speed Damage-Free Contact Hole Etching Using Dual Shower Head Microwave-Excited High-Density-Plasma Equipment

著者 (8件)： GOTO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAUCHI H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TERASAKI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TERAMOTO A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIRAYAMA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWA S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 4B  ページ： 1784-1787  発行年： 2004年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ励起されている領域をエッチングプロセス領域から分離す...

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• 1) H. Komeda, M. Sato, A. Ishihama, K. Sakiyama and T. Ohmi: 1998 3rd Int. Symp. Plasma Process-Induced Damage, June 4-5, Honolulu, HI, USA, p. 88.
• 2) K. Miyamoto, K. Sugihara and A. Asari: 1997 2nd Int. Symp. Plasma Process-Induced Damage, May 13-14, Monterey, CA, p. 73.
• 3) S. Deshmukh and M. Nelson: 1997 2nd Int. Symp. Plasma Process-Induced Damage, May 13-14, Monterey, CA, p. 81.
• 4) R. Kaihara, M. Hirayama, S. Sugawa and T. Ohmi: Proc. 9th Int. Symp. Semiconductor Manufacturing, (2000) p. 102.
• 5) M. Sekine, M. Narita, K. Horioka, Y. Yoshida and H. Okano: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 6274.

タイトルに関連する用語 (7件)： シャワーヘッド ,  マイクロ波 ,  励起 ,  高密度プラズマ ,  損傷 ,  窓 ,  エッチング