文献

J-GLOBAL ID：200902286469468421   整理番号：09A0420935

窒素プラズマ照射と水素ガスアニール複合処理による4H-SiC MOSFETの移動度向上

著者 (9件)： 細井卓治 (大阪大 大学院) ,  渡邊優 (大阪大 大学院) ,  景井悠介 (大阪大 大学院) ,  桐野嵩史 (大阪大 大学院) ,  箕谷周平 (ローム) ,  中野佑紀 (ローム) ,  中村孝 (ローム) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 442  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  プラズマ曝露 ,  アニーリング【現象】 ,  電流電圧特性 ,  化合物半導体 ,  水素ガス
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素プラズマ ,  水素ガス ,  アニール ,  4H-SiC ,  MOSFET ,  移動度