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J-GLOBAL ID：200902288415016323   整理番号：06A0503430

人工的な周期溝を持つ熱酸化シリコン表面上のセキシチオフェンのグラフォエピタクシー

Graphoepitaxy of sexithiophene on thermally oxidized silicon surface with artificial periodic grooves
著者 (10件)：
IKEDA Susumu

IKEDA Susumu について

(Dep. of Complexity Sci. and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, Kashiwanoha 5-1-5 ...)

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SAIKI Koichiro

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(Dep. of Complexity Sci. and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, Kashiwanoha 5-1-5 ...)

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TSUTSUI Ken

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(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Wasedatsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Wasedatsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, JPN について

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EDURA Tomohiko

EDURA Tomohiko について

(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Wasedatsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, JPN)

Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Wasedatsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, JPN について

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WADA Yasuo

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(Nanotechnology Res. Lab., Waseda Univ., Wasedatsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, JPN)

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MIYAZOE Hiroyuki

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(Dep. of Advanced Materials Sci., Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, Kashiwanoha 5-1-5 ...)

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TERASHIMA Kazuo

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(Dep. of Advanced Materials Sci., Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, Kashiwanoha 5-1-5 ...)

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INABA Katsuhiko

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(Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN)

Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN について

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MITSUNAGA Toru

MITSUNAGA Toru について

(Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN)

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SHIMADA Toshihiro

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(Dep. of Chemistry, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN)

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 88  号： 25  ページ： 251905-251905-3  発行年： 2006年06月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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セキシチオフェン(6T)薄膜のグラフォエピタキシャル成長を,...
シソーラス用語：
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*有機半導体

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*グラフォエピタクシー

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分類 (1件)：
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有機化合物の薄膜 
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