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J-GLOBAL ID：200902289189117495   整理番号：09A0450908

イオン性液体の電気2重層によるゲートを有するZnO電界効果トランジスタ中の高密度のキャリア蓄積

High-Density Carrier Accumulation in ZnO Field-Effect Transistors Gated by Electric Double Layers of Ionic Liquids

著者 (10件)： YUAN Hongtao (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YUAN Hongtao (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  SHIMOTANI Hidekazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMOTANI Hidekazu (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  TSUKAZAKI Atsushi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWASAKI Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWASAKI Masashi (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 19  号： 7  ページ： 1046-1053  発行年： 2009年04月09日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体および超伝導体の電気特性を決定する重要な因子としてキャリア密度がある。近年,キャリア濃度を1×10¹⁴cm^-2まで大きくすることで,絶縁体中に電場誘起超伝導が見いだされている。本論文では,DEME-TFSIイオン性液体(IL)の電気2重層をゲートに用いたZnO電界効果トランジスタ(EDLT)中の,超高密度キャリア蓄積に関する結果を報告する。キャパシタンス,I-V特性,ホール効果等の測定から,IL誘電体は低温でも電荷蓄積能を有することを見出した。結果として,220Kにおけるキャリア密度として8×10¹⁴cm^-2が得られ,1.8Kにおいても5.5×10¹⁴cm^-2を維持することを明らかにした。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  酸化亜鉛 ,  電気二重層 ,  *イオン液体 ,  ゲート【半導体】 ,  キャリア密度 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

物質索引 (1件)： ジエチル(メチル)(2-メトキシエチル)アミニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミンアニオン

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン性液体 ,  電気2重層 ,  ゲート ,  ZnO ,  電界効果トランジスタ ,  高密度 ,  キャリア蓄積