文献

J-GLOBAL ID：200902289217700118   整理番号：08A0548927

AlGaN/GaNから成るヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるGaNバッファ層のオフ状態における絶縁破壊特性に及ぼす貫通転位によって形成されるトラップの効果

Effects of Traps Formed by Threading Dislocations on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

著者 (11件)： HINOKI Akihiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KIKAWA Junjiroh (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  YAMADA Tomoyuki (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  TSUCHIYA Tadayoshi (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KAMIYA Shinichi (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KUROUCHI Masahito (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KOSAKA Kenichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Akira (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  SUZUKI Akira (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 1  ページ： 011103.1-011103.3  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上に有機金属化学蒸着によって堆積させた厚さが0.2~2μmのGaN層のオフ状態に関する絶縁破壊特性を,空間電荷制限電流伝導機構に基づいて議論する。GaN層の厚さが減少すると,オフ状態の絶縁破壊電圧は増大することが分かった。GaN層におけるトラップ密度を,オフ状態の絶縁破壊電圧を決定するトラップフィルド電圧から見積もった。このようにして見積もられたトラップ密度はGaN層の厚さが減少すると増加することが分かった。透過型電子顕微鏡観察から,薄い試料内では貫通転位の密度が高いことが分かった。これらの結果は,貫通転位によって形成されるトラップがGaN層におけるオフ状態の絶縁破壊電圧に大きな影響を及ぼすことを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  *接合形FET ,  バッファ層 ,  絶縁破壊 ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  MOCVD ,  空間電荷制限電流 ,  捕獲中心 ,  欠陥密度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  貫通転位
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• OKAMOTO, Y. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2004, 52, 2536
• HASHIZUME, T. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001, 19, 1675
• OH, C. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 12106
• POBLENZ, C. J. Vac. Sci. Technol. B. 2004, 22, 1145
• CHOI, Y. C. IEEE Trans. Electron Devices. 2006, 53, 2926

タイトルに関連する用語 (10件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  バッファ層 ,  オフ状態 ,  絶縁 ,  破壊特性 ,  貫通転位 ,  トラップ