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J-GLOBAL ID：200902289584800188   整理番号：08A0711183

CMOSデバイス作製のためのジブロック共重合体の直接自己組織化

Diblock Copolymer Directed Self-Assembly for CMOS Device Fabrication

著者 (3件)： CHANG Li-Wen (Stanford Univ., CA, USA) ,  CALDWELL Marissa A. (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H.-S.Philip (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6921  号： Pt.2  ページ： 69212M.1-69212M.6  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブロック共重合体リソグラフィーに向けてジブロック共重合体の直接自己組織化を研究した。ポリスチレン(PS)とポリメチルメタクリレート(PMMA)とのジブロック共重合体の直接自己組織化ではPSブロックの比率を減らすと相構造が円筒形状からラセン形状に変化し,2つのブロック比率を同じにするとラメラ相構造になった。PSを70%,PMMAを30%とした(PS-b-PMMA)の厚み30~40nmの薄膜をアニール処理を行うことで円筒の相構造を形成した。次に,酢酸に20分浸漬してPMMAを溶出させ,直径20nmのホールを形成した。これらの多孔質薄膜マスクのパターンをプラズマエッチングで二酸化ケイ素薄膜に転写した。これをハードマスクとして使い,N型シリコン基板上に原子層成長法で白金を蒸着することでアスペクト比3:1の白金電極パターンを形成できた。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  リソグラフィー ,  *ジブロック共重合体 ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  自己組織化 ,  プラズマエッチング ,  二酸化ケイ素 ,  パターン転写 ,  *マスク ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *白金 ,  原子層エピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  *パターン形成
準シソーラス用語： *ブロック共重合体リソグラフィー ,  ハードマスク ,  電子ビーム露光

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  作製 ,  ジブロック共重合体 ,  自己組織化