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J-GLOBAL ID：200902290464430865   整理番号：03A0486570

R面サファイア上での完全に合体したA面GaNに関する横方向エピタキシャル被覆成長

Lateral Epitaxial Overgrowth of Fully Coalesced A-Plane GaN on R-Plane Sapphire

著者 (9件)： CHEN C (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  WANG H (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  ZHANG J (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  ADIVARAHAN V (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  GAEVSKI M (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  KUOKSTIS E (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  GONG Z (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  KHAN A (Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 6B  ページ： L640-L642  発行年： 2003年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題A面GaN薄膜について,構造および光学特性を調べた。その...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (11件)：

• 1) F. Bernardini and V. Fiorentini: Phys. Rev. B 57 (1998) 9427.
• 2) P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche and K. H. Ploog: Nature (London) 406 (2000) 865.
• 3) C. Q. Chen, M. E. Gaevski, W. H. Sun, E. Kuokstis, J. P. Zhang, R. S. Q. Fareed, H. M. Wang, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, H. P. Maruska, D. W. Hill, M. M. C. Chou and B. H. Chai: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3194.
• 4) E. Kuokstis, C. Q. Chen, M. E. Gaevski, W. H. Sun, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, H. P. Maruska, D. W. Hill, M. C. Chou, J. J. Gallagher and B. H. Chai: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4130.
• 5) H. M. Ng: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4369.

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  合体 ,  GaN ,  横方向 ,  エピタキシャル ,  被覆成長