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J-GLOBAL ID：200902290695055765   整理番号：03A0659188

Photoreflectanceによる強誘電体薄膜/SiO₂/Si構造の解析

著者 (5件)： 寒川雅之 (大阪大 大学院) ,  吉田真人 (大阪大 大学院) ,  金島岳 (大阪大 大学院) ,  藤本晶 (和歌山工高専) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 2  ページ： 470  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フォトリフレクタンス ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体薄膜 ,  SiO2 ,  Si ,  解析