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J-GLOBAL ID:200902291688677668   整理番号:09A0646333

1.3-μm帯バルク型半導体光導波路における光位相・光強度変調量の波長依存性

Wavelength Dependences of Optical Phase and Amplitude Modulations in Semiconductor Waveguide
著者 (6件):
資料名:
巻: 109  号: 49(LQE2009 1-18)  ページ: 33-37  発行年: 2009年05月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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全光スイッチング素子は全光通信において必要要素の1つであり,小型集積化・高速動作・低エネルギー動作が課題である。これらの特性向上に関して,ナノ半導体構造のフォトニック結晶や量子ドットを用いた光導波路の応用が期待されている。また,高速なスイッチング動作には,π以上の光位相変調量と速い緩和時間が必要となる。そこで我々は,1.3-μm帯におけるナノ半導体とバルク半導体の光位相と光強度変調量の波長依存性(Kramers-Kronig関係式)に注目した。今回,1.3-μm帯バルク型半導体光導波路試料において,光位相変調量について波長依存性を評価した。(著者抄録)
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分類 (2件):
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光通信方式・機器  ,  半導体レーザ 
引用文献 (5件):
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