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J-GLOBAL ID：200902292612431615   整理番号：07A1007375

メタルマスク(MM)法によるInAs量子ドットの選択領域成長(III)~異なる場所に異なる吸収成長をもつQDの作製~

著者 (12件)： 高田賀章 (筑波大) ,  尾崎信彦 (筑波大) ,  大河内俊介 (筑波大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  大河内俊介 (産業技術総合研) ,  杉本喜正 (筑波大) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  北川嘉則 (筑波大) ,  渡辺慶規 (筑波大) ,  水谷彰夫 (筑波大) ,  浅川潔 (筑波大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 334  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： *領域選択成長

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： メタルマスク ,  法 ,  InAs量子ドット ,  領域成長 ,  成長 ,  作製