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J-GLOBAL ID：200902294417288576   整理番号：05A0336782

熱化学気相蒸着により蒸着した窒化けい素絶縁体を持つ空気中で安定なn型トップゲートのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ

Air Stable n-type Top Gate Carbon Nanotube Filed Effect Transistors with Silicon Nitride Insulator Deposited by Thermal Chemical Vapor Deposition
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著者 (6件)：
KOJIMA Atsuhiko

KOJIMA Atsuhiko について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

, 
SHIMIZU Mitsuyasu

SHIMIZU Mitsuyasu について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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HYON Chan Kyeong

HYON Chan Kyeong について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

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KAMIMURA Takafumi

KAMIMURA Takafumi について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

, 
MAEDA Masatoshi

MAEDA Masatoshi について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

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MATSUMOTO Kazuhiko

MATSUMOTO Kazuhiko について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 44  号： 8-11  ページ： L328-L330  発行年： 2005年03月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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熱化学気相蒸着により蒸着した窒化けい素ゲート絶縁体を用いてト...
シソーラス用語：
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化学蒸着

化学蒸着 について

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (8件)：
タイトルに関連する用語
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熱化学気相蒸着

熱化学気相蒸着 について

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蒸着

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窒化けい素

窒化けい素 について

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絶縁体

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, 
空気中

空気中 について

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トップゲート

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, 
カーボンナノチューブ

カーボンナノチューブ について

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電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタ について


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