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J-GLOBAL ID：200902294528572826   整理番号：08A0361087

非晶質InGaZnO₄薄膜トランジスタのモデリング及びそのサブギャップ状態密度

Modeling of amorphous InGaZnO₄ thin film transistors and their subgap density of states

著者 (5件)： HSIEH Hsing-hung (Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  NOMURA Kenji (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, in Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...) ,  HOSONO Hideo (Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  WU Chung-chih (Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 13  ページ： 133503  発行年： 2008年03月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デプリーションモード及びエンハンスメントモードの両方で動作する非晶質InGaZnO₄(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)に関する,a-IGZOにおけるキャリア輸送及びサブギャップ状態密度のモデルを報告した。一定移動度及び二段階サブギャップ状態密度を用いた単純なモデルはa-IGZO TFTの特性を良く再現した。a-IGZOは低いテール状態及び深いギャップ状態密度を示し,小さいサブしきい値スィングと高い移動度をもたらした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *非晶質 ,  *状態密度 ,  モデル ,  移動度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *キャリア輸送 ,  *サブギャップ

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  薄膜トランジスタ ,  モデリング ,  サブギャップ ,  状態密度