HSIEH Hsing-hung について
Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について
KAMIYA Toshio について
Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について
NOMURA Kenji について
ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, in Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ... について
HOSONO Hideo について
Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について
WU Chung-chih について
Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan について
Applied Physics Letters について
薄膜トランジスタ について
インジウム化合物 について
ガリウム化合物 について
亜鉛化合物 について
酸化物 について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
非晶質 について
状態密度 について
モデル について
移動度 について
バンドギャップ について
キャリア輸送 について
サブギャップ について
トランジスタ について
薄膜一般 について
半導体薄膜 について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
非晶質 について
薄膜トランジスタ について
モデリング について
サブギャップ について
状態密度 について