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J-GLOBAL ID：200902295162995067   整理番号：03A0407307

InNと関連合金のrf分子線エピタクシー成長とその特性

RF-Molecular Beam Epitaxy Growth and Properties of InN and Related Alloys
著者 (3件)：
NANISHI Y

NANISHI Y について

(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)

Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について

, 
SAITO Y

SAITO Y について

(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)

Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について

, 
YAMAGUCHI T

YAMAGUCHI T について

(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)

Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 42  号： 5A  ページ： 2549-2559  発行年： 2003年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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InNと関連する合金の成長と評価に関する最近の進展について概...
シソーラス用語：
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*窒化インジウム

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分類 (3件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

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,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

,  半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

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引用文献 (44件)：
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RF

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分子線エピタクシー成長

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